中華人民共和國國家標準高壓直流輸電條款(1)

1主題內容和適用范圍

本標準規定了高壓直流輸電的術語和特性。

本標準適用于高壓直流輸電系統，尤其適用于使用電子變流器將交流電能轉換為DC電能或將DC電能轉換為交流電能的高壓DC換流站。本換流站的并網換流器采用三相橋式雙拍換流接線(圖2)，以單向電子閥，如汞弧閥、半導體閥或其組合作為換流元件。

2參考標準

電氣術語電力電子技術

3換向電路

3.1換向轉換

在高壓直流輸電領域，交流能量轉化為DC能量，或者DC能量轉化為交流能量，或者兩者相互轉化。

同義詞轉換

注：換相在電力電子技術領域稱為交流。

3.2對流電路

換向電路。

3.3轉換器臂(臂)轉換器臂(臂)

轉換器電路的一個組件(圖2)，連接在交流和DC端子之間，具有單向(正向，第5.3條)導電性。

其主要功能是轉換交流和DC電能，以及電壓均衡和阻尼。

3.4可控轉換器臂可控轉換器臂

正向導通開始時的轉換器臂由外部觸發信號和施加到交流端子的電壓瞬時值決定。

3.5不受控制的轉換器臂不可控制的轉換器臂

只有施加到交流端子的電壓瞬時值決定了正向導通開始時的轉換器臂。

3.6橋式轉換器連接(橋式)

由三對(六個)三相變流器臂組成的橋式連接模式(圖2)。簡稱“橋”。

“橋”是指電路的連接線和電路的設備。

3.7 uniformbridge

每個轉換器臂都是可控轉換器臂或帶有不可控轉換器臂的橋。

3.8非均勻橋

具有可控和不可控轉換器臂的橋。

3.9旁路旁路

單橋或多橋的DC端子之間的低電阻路徑可以是由旁路臂(第3.10條)或旁路對(第3.11條)形成的單向路徑，也可以是由旁路開關(第4.41條)形成的雙向路徑。

3.10旁路

在DC端子之間連接單向傳導旁路(圖4)。

3.11旁路配對

兩個與橋中同相交流端子相連的換流器臂形成到DC端子的旁路(圖4)。

3.12減刑

兩個電路之間的電流傳輸過程。此時，電流流經兩個電路。

換流可以在任意兩個換流器臂(包括連接到它們的交流相)之間、換流器臂和旁路臂之間或者任意兩個電路之間進行。但在變流器的正常運行中，換流具體指的是同一換流組的兩個相繼支路(包括與之相連的交流相)之間的電流轉換。

3.13電網換相的線路換相

一種外部換相方法，換相電壓由電網提供。

3.14換向電流

電網提供短路電流實現換相。

3.15整流電壓

相變的交流電壓。

3.16換向導電性 #p#分頁標題#e#

在由兩個換向臂和一個換向電壓源組成的電路中，在換向過程中影響換向電流上升和下降陡度的總電感。

3.17換向電抗的換向反應

換向電流通過的回路中每相基波的等效電抗。

3.18換向組

一組相間的換相臂與其他換相臂無關。電橋的同一個換向組的轉換器臂連接到同一個DC端子(圖4)。

注意：在某些大電流運行條件下，同一電橋的兩個換向組之間的換向可能是相關的。

3.19(脈沖數)脈沖數(脈沖)

換流器連接方式的一個特征是交流電網電壓一個周期內不對稱換流次數。

對于第3.6條中提到的橋換向連接，脈沖數P=6。

3.20換相數(q) (q)

交流電網電壓一個周期內各換相組的換相次數。

對于第3.6條所述的橋式整流連接，每個整流組的整流數為q=3。

4個轉換器單元和閥門

4.1轉換器單元轉換器單元

實現DC能和交流能相互轉換的工作單元(圖5)包括一套或多套換流橋(第4.2條)、一臺或多臺換流干式變壓器(第4.37條)、換流單元控制設備(第8.9條)、其自身的保護和開關裝置以及其他輔助設備。

注：如果轉換器單元包括兩個相位差為30的轉換器橋(第4.2條)，則轉換器單元為12脈沖單元。

4.2轉換器橋轉換器橋

實現電橋換向連接的設備(包括旁路臂，圖4和圖9)。

4.3轉換器c

onvertor

換流站內將交、直流電能相互轉換的設備，由單個或多個換流橋組成。

同義詞變流器

注：在電力電子技術領域稱換流器為交流器。

4.4陽（陰）極半橋anode(cathode)half-bridge

構成換流橋一個換相組各換流臂的設備，各換流臂的陽（陰）極端子互相連接（圖4）。

4.5閥valve

一整套可控或非可控的閥組件陣（器件組合）。正常情況下僅單向（正向，第5.3條）導電，可作為換流器的換流臂，或作為換流臂的組成部分（圖3）。

4.6閥組件valvemodule

構成閥的較小單元，由若干晶閘管及其觸發、保護、均壓和閥電抗器等組成，其電氣性能與閥的電氣性能相同，但其阻斷能力為閥的若干分之一。

4.7晶閘管級thyristorlevel

由單個晶閘管或并聯的若干晶閘管構成的閥組件的較小串聯單元，是閥的一個電壓極。

4.8閥基valvebase

閥的一部分，除起支持作用外，并使內裝閥組件的閥的帶電部分對地絕緣。

4.9冗余晶閘管redundantthyristor

組成一個閥的晶閘管串中的部分晶閘管，可因某種原因在運行中將其從外部或內部短路，而不危及閥的正常運行。其數量取決于檢修間隔、設計參數，該品閘管在閥中的位置及閥的運行狀況。

4.10冗余晶閘管因數redundantthyristorfactor#p#分頁標題#e#

一個閥的晶閘管串的全部晶閘管數與扣除冗余晶閘管后所余品閘管數的比值。

4.11單閥單元singlevalveunit

僅由一個閥組成的整體結構。

4.12多重閥單元multiplevalveunit

由同一相的多個閥疊裝而成的整體結構。

4.13汞弧閥mercury-arevalve

具有冷陰極的汞蒸氣離子閥。

4.14多陽極閥multi-anodevalve

具有數個并聯陽極的單個汞弧閥。

4.15半導體閥semiconductorvalve

帶有輔助設備的半導體器件組成的閥。

4.16二極管閥diodevalve

僅以二極管作為主要半導體器件的半導體閥。

4.17晶閘管閥thyristorvalve

由多個晶閘管及多個二極管（可無二極管）組成，而以晶閘管作為主要半導體器件的半導體閥。

來源：中電力網